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ultra c sic 文章 最新資訊

英飛凌推出帶光耦仿真輸入的隔離式柵極驅動IC，加速SiC方案設計

  • 英飛凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在簡化從傳統基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率級的遷移。據官方新聞稿介紹，新型 EiceDRIVER? 1ED301xMC12I 系列器件在引腳上與現有的光耦仿真器和光耦合器兼容。對于《eeNews Europe》的讀者——尤其是從事工業與能源系統設計的工程師而言，這一產品意義重大：它提供了一條無需徹底重新設計控制板即可快速升級至更高效率SiC方案的路徑。同時，這也凸顯了當前柵極驅動器性能正不斷演
  • 關鍵字： 英飛凌  IC  SiC  

iQOO 15 Ultra搭載第五代驍龍8至尊版打造性能Ultra

  • 2月4日，iQOO面向追求極致體驗的硬核玩家正式發布全新電競旗艦iQOO 15 Ultra。作為行業首款以性能Ultra為核心定位的高端旗艦，iQOO 15 Ultra搭載第五代驍龍8至尊版移動平臺，深度融合驍龍芯片技術與iQOO在電競領域的深厚積累，在幀率、畫質、影像與連接等維度全面進階，致力于為硬核玩家提供更沉浸、更可靠的體驗。iQOO 15 Ultra以第五代驍龍8至尊版為性能核心。該平臺集成的第三代Qualcomm Oryon CPU與全新高通Adreno GPU，帶來顯著的性能與能效提升。CPU
  • 關鍵字： iQOO 15 Ultra  驍龍8至尊版  iQOO  

SiC為電動汽車的高壓逆變器功率模塊

  • 汽車零部件供應商舍弗勒已啟動新款高壓逆變器功率模塊的量產工作。該模塊采用羅姆的碳化硅功率場效應晶體管裸片，是雙方戰略合作的重要成果。這款逆變器組件也被稱為功率模塊（brick），是電動汽車牽引逆變器的核心功率單元，其功能是通過邏輯信號控制驅動電機，并生成驅動電機運轉所需的高頻電流。牽引逆變器作為電動汽車高壓電池與驅動電機之間的橋梁，核心作用是將電池輸出的直流電轉換為交流電，進而精準調控電機的轉速、扭矩等關鍵運行參數。目前，市面上的電動汽車大多搭載 400V 電壓平臺的電池包。為實現更快的充電速度與更高的系
  • 關鍵字： SiC  電動汽車  高壓  逆變器  功率模塊  

英特爾即將推出的Core Ultra 9移動CPU在新基準測試中表現優于大多數桌面處理器——Core Ultra 9 290HX Plus在單線程性能上幾乎與旗艦Core Ultra 9 285K相當

  • Core Ultra 9 290HX Plus實力強勁。雖然Panther Lake是英特爾CES 2026展會的焦點，但公司也將很快為臺式機和筆記本更新其現世代Arrow Lake系列。我們已經在幾次泄露中見過這些“Plus”處理器，包括Geekbench的列表，但PassMark首次發現了一款移動SKU：Core Ultra 9 290HX Plus，接替了即將發布的Core Ultra 9 285HX。Arrow Lake 刷新版在單核測試中得分為 5,009 分，是網站上所有 x86 CPU 中最
  • 關鍵字： 英特爾  Core Ultra 9  CPU  桌面處理器  

功率電路進階教程：SiC JFET 如何實現熱插拔控制

  • 本教程聚焦SiC JFET 在固態斷路器中的應用，核心內容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關鍵特性、系統說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統取得重大進步、通過評估和測試結果展示產品性能。我們已介紹過
  • 關鍵字： 安森美  功率電路  SiC JFET  熱插拔控制  

功率電路進階教程：固態斷路器采用SiC JFET的四個理由

  • 本教程聚焦SiC JFET 在固態斷路器中的應用，核心內容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關鍵特性、系統說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統取得重大進步、通過評估和測試結果展示產品性能。我們已介紹過浪涌電流、應對不斷攀升的電力需求、為什么要使用固態斷路器。本文為系列教程的第二部分，將介紹SSCB 采用 SiC JFET 的四個理由。斷路器制造商首要關注的是發熱問題。 所有半導體在電流流過其中時都會產生熱量。 這種熱量可以用導通電阻來衡量， 其表示符號為 RDS(on) 。當然，
  • 關鍵字： 安森美  功率電路  固態斷路器  SiC JFET  

聚焦固態斷路器核心：安森美SiC JFET特性深度解讀

  • 輸配電系統與各類靈敏用電設備的安全運行，離不開對長時間過載與瞬態短路故障的妥善防護。這些風險若未及時管控，輕則導致設備損壞，重則引發系統癱瘓。隨著電力系統電壓等級持續提升、電動汽車高壓化趨勢加劇，電路中可能出現的最大故障電流已達到前所未有的水平，對保護裝置的響應速度與耐受能力提出了更嚴苛的要求，超快速交流/直流斷路器由此成為關鍵需求。在過去很長一段時間里，機械斷路器（EMB）始終是這類保護場景的主流選擇。但隨著用電場景對可靠性、響應速度的要求不斷升級，傳統機械斷路器的局限性逐漸凸顯，而固態斷路器（SSCB
  • 關鍵字： 安森美  固態斷路器  SiC  JFET  

Melexis硅基RC緩沖器獲利普思選用，攜手開啟汽車與工業能源管理技術新征程

  • 全球微電子工程公司Melexis近日宣布，其創新的MLX91299硅基RC緩沖器已被全球先進的功率半導體模塊制造商利普思（Leapers）選用，將其集成于新一代功率模塊中。此次合作標志著雙方在技術創新與系統優化上的深度融合，共同致力于推動汽車與工業能源管理領域的發展。利普思的功率模塊憑借卓越的性能和可靠性，廣泛應用于電動汽車、充電基礎設施、可再生能源系統及工業功率轉換等高要求場景。隨著市場對高效率、功率密度及可靠性需求的不斷提升，利普思正積極探索能在更高開關頻率與電壓下穩定運行的碳化硅（SiC）功率器件。
  • 關鍵字： Melexis  邁來芯  RC緩沖器  利普思  SiC  

三星與英特爾共同開發了適用于Panther Lake OLED筆記本的“SmartPower HDR”，可實現高達22%的省電——動態電壓控制降低功耗而不犧牲面板亮度

  • 三星顯示和英特爾共同開發了一項名為“SmartPower HDR”的新OLED筆記本技術，顧名思義。與傳統支持HDR的顯示器不同，傳統顯示面板保持固定高電壓以應對亮度峰值，SmartPower HDR會動態調整面板功率，從而降低多達22%的電池消耗。SPHDR會分析每幀的峰值亮度，確保電壓保持盡可能低，直到內容需要突然爆發亮度——只有在這時，顯示才會提升以提供所需的功率。即使在峰值亮度場景下，與普通HDR模式相比，SPHDR的功耗也應略低，而不會影響實際亮度。這就是英特爾的部分：這項技術由全新的Core
  • 關鍵字： 三星  英特爾  Panther Lake OLED筆記本  SmartPower HDR  Core Ultra Series 3芯片  

英特爾18A來了！第三代酷睿Ultra發布：性能暴漲，筆電續航以天計算

  • 1月6日消息，英特爾周一在拉斯維加斯CES展會上正式發布了代號為“Panther Lake”的第三代酷睿Ultra處理器（Intel Core Ultra Series 3）。作為首款基于英特爾最先進Intel 18A制程節點打造的計算平臺，此舉旨在向投資者釋放積極信號。在活動現場，英特爾首席執行官陳立武（Lip-Bu Tan）高調表示，公司已履行承諾，于2025年交付采用18A工藝的首批產品。與上一代主要由臺積電代工的Lunar Lake芯片不同，此次發布對英特爾而言至關重要：Panther Lake是
  • 關鍵字： 英特爾  18A  第三代酷睿  Ultra  筆電續航  CES  處理器  

SiC市場發展周期修正

  • Power SiC市場持續轉型。繼2019年至2024年間前所未有的投資浪潮后，Yole Group表示，行業現正進入調整周期。汽車市場放緩導致硅碳需求下降，硅碳供應鏈發生了轉變。 利用率下降、產能過剩和投資減少的循環引發了行業參與者的擔憂。盡管放緩，SiC仍是電氣化路線圖的核心，預計到2030年設備收入將接近100億美元。行業首個重大投資周期由2019-2024年資本支出熱潮推動，造成了顯著的上游產能過剩。設備資本支出在2023年達到約30億美元的峰值，導致上游硅碳價值鏈出現顯著產能過剩。20
  • 關鍵字： SiC  yole  

英特爾即將推出的Core Ultra X9 388H在1T性能上比Ryzen AI Max+ 395快8.7%——Panther Lake在早期Geekbench泄露中顯著提升了Strix Halo

  • 英特爾在發布首款18A處理器時并未詳細討論Panther Lake的性能，但該系列中可能的旗艦SKU——Core Ultra X9 388H——剛剛在Geekbench上亮相，評分相當出色。它們不僅超越了英特爾的舊芯片，還能與AMD的頂級Strix Halo產品匹敵。Core Ultra X9 388H在單核測試中獲得3,057分，多核測試中獲得17,687分，這兩個數字都遠遠超過了Arrow Lake-H Core Ultra 9 285H，同時也與更強悍的Core Ultra 9 275HX相當。這些
  • 關鍵字： 英特爾  Core Ultra X9 388H  AMD  移動芯片  Geekbench  

硅質原材料價格上漲，而6英寸基材則引發價格戰

  • 截至2025年11月，碳化硅（SiC）市場正處于價值重新評估和結構分歧的關鍵階段。在價格方面，低端散裝硅碳材料因成本失控而價格上漲，而主流6英寸硅碳基材在供應過剩下持續暴跌。然而，在應用方面，SiC卓越的導熱率使其成為英偉達Rubin平臺和臺積電先進封裝中AI芯片散熱的戰略材料，預示著由高性能計算應用驅動的高價值增長第二波浪潮。硅基價格趨勢：原材料上漲壓力，高端基材價格大幅降幅SiC市場在定價動態上展現出明顯的差異。一方面，散裝SiC材料的價格——如黑色和綠色SiC粉末及顆粒——一直在上漲。根據包括CIP
  • 關鍵字： 硅質原材料  6英寸  SiC  

Tachyum推出2nm Prodigy，其AI機架性能比Nvidia Rubin Ultra 高 21 倍

  • ?Tachyum? 今天公布了其 2nm Prodigy? 通用處理器的詳細信息和規格，該處理器將使 AI 模型的參數比任何現有解決方案的參數大許多數量級，而成本僅為其一小部分。Prodigy Ultimate 提供的 AI 機架性能比 Nvidia Rubin Ultra NVL576 高出 21.3 倍。Prodigy Premium 提供的 AI 機架性能比 Vera Rubin 25.8 高出 144 倍。2nm Prodigy 是有史以來第一個推理超過 1,000 PFLOP 的芯片，
  • 關鍵字： Tachyum  2nm  Prodigy  AI  機架性能  Nvidia  Rubin Ultra  

三星Galaxy S26 Ultra 型號可能會堅持使用高通

  • 三星正在推進 Exynos 的回歸，旨在減少對高通芯片的依賴。據 Chosun Biz 援引消息人士的話說，三星電子計劃在基本型號和 Plus 型號中使用 Exynos 2600，而 Ultra 型號將繼續采用高通的移動應用處理器 （AP）。正如報告所強調的那樣，三星電子將于 2026 年 2 月推出 Galaxy S26。盡管此前有傳言稱將于 3 月發布，但該公司的協調努力已經提前了發布時間表。報道援引消息人士的話稱，三星預計將于 2026 年 1 月下旬舉辦 Galaxy S26
  • 關鍵字： 三星  Galaxy S26 Ultra  高通  
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